新闻活动 News & Events

第一届亚太碳化硅及相关材料国际会议

发布者：眺望科技                     发布日期：2018-07-04

 

第一届亚太碳化硅及相关材料国际会议（Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2018)）将于2018年7月9日-12日在北京举行，参会规模近400人。

此次会议将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流，促进产学研的相互合作和交流。深信这次会议必将对亚太地区碳化硅等宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步和产业发展起到有力的推动作用。

 

近年来，碳化硅等宽禁带半导体已成为全球高技术领域竞争战略制高点之一，国际半导体及材料领域研究和发展的热点。宽禁带半导体照明已经形成巨大规模的产业，并在电子功率器件领域继续深入发展。

 

 

美国Aymont专注于宽禁带半导体碳化硅单晶材料应用领域，其产品广泛运用于能源、交通、信息、新材料等领域，如电子电力器件、微波射频、可见光通讯、太阳能、半导体照明、紫外光存储、激光显示等行业，其产品在国内处于领先地位。Aymont目前生产和销售第一款商业型晶体生长炉，可以生长200mm SiC单晶晶柱；可用于量产150mm和200mm晶圆。

 

 

 

 

APCSCRM会议邀请来自亚太地区知名的专家学者齐聚一堂，共同学习和交流宽禁带半导体材料生长、器件制备及封装和器件模块应用等领域理论和技术。以下是部分邀请专家简介：

 

 

1. 新井学（新日本无线，日本）

报告名称：宽禁带半导体（碳化硅、氮化镓、氧化镓和金刚石）器件综述

 

 

 

2. 高冰（武汉大学，中国）

 

报告名称：碳化硅PVT生长基面位错模拟及其控制

 

 

3. 顾亦磊（阳光电源股份有限公司，中国）

 

报告名称：基于SiC MOSFET的高效高功率密度光伏逆变器   

 

 

4. 土方 泰斗（琦玉大学，日本） 

 

报告名称：基于Si和C的发射模型的SiC的热氧化过程的宏观模拟

 

 

5. 黄伟（复旦大学，中国）

 

报告名称：可融合GaN/Si半导体器件与集成技术

 

 

 

6. 岩室 宪幸（筑波大学，日本）

 

报告名称：碳化硅MOSFET器件的最新进展

 

 

7. 纪世阳（产业技术综合研究所，日本）

 

报告名称：CVD外延——新型4H-SiC超结MOSFET的关键技术

 

 

8. 李顺峰（北京大学东莞光电研究院，中国）

 

报告名称：硅基GaN功率电子器件的开发应用与展望

 

 

9. 刘国友（中国株洲中车时代电气股份有限公司，中国）

 

报告名称：SiC器件在轨道交通中的应用前景

 

 

10. 陆国权（弗吉尼亚理工大学，美国）

 

 

报告名称：汽车用高功率密度碳化硅功率模块的封装

 

 

11. 松浦 秀治（ 大阪电气通信大学，日本）

 

报告名称：利用霍尔效应测量宽禁带半导体的电学特性   

 

 

12. 水原 德健（ROHM半导体(上海)有限公司，日本）

 

报告名称：功率器件(SiC)的市场应用~SiC功率器件的特征、应用

 

 

13. 邱显钦（长庚大学，台湾）

 

报告名称：六寸硅基氮化鎵功率与微波器件封装与模块开发

 

 

14. 邱宇峰（全球能源互联网研究院，中国）

 

报告名称：SiC器件在未来电网中的应用

 

 

15. 孙国胜（东莞天域半导体科技有限公司，中科院半导体所，中国）

 

报告名称：4H-SiC中三角形缺陷结构及成因研究进展

 

 

16. 温旭辉（中国科学院电工研究所，中国）

 

报告名称：电动汽车用超高功率密度SiC逆变电源的技术途径分析

 

 

17. 张清纯（北卡罗来纳州立大学，美国）

 

报告名称：宽禁带半导体器件（氮化镓和碳化硅）及其应用的现状与展望