- 产品说明
- 产品规格
- 详情咨询
AJA 国际公司的 ATC 系列多技术系统，通途广泛，集成了多种沉积，刻蚀方式和单腔室内分析操作（混合系统）或多腔室内（多腔系统），以实现基片腔对腔内置传送，并且不会破坏真空环境。
标准多技术系统装置
ATC-Orion UHV双腔系统，带通用预真空室
系统特点，溅射和蒸发工艺腔，带 8 个 A320-O 2 " UHV 溅射靶，1 个 6 槽 15ccUHV 电子 枪，4 个热阻溅射靶，可加热至 850°C 基片加热器，带射频偏压电源，次级偏转/冷却/台， RHEED，电脑控制，预真空室片盒，带内置掩模交换系统，可容纳直径4英寸基片和腔对腔传送系统。
ATC UHV 双腔室
双 UHV ATC 1800/2200（溅射/电子束）系统，带 4 个 A320-XP 2 " UHV 溅射靶，可内置偏转，2 个 4 槽 15ccUHV 线性电子枪。射频离子源，1200l/s 涡轮分子泵，加热至 850°C 旋转基片加热器，带射频偏压电源，电脑控制盒通用顶点预真空室，可容纳最大直径 100mm 基片。
ATC 双腔室，带通用片盒预真空室
双溅射系统由通用 6 卡槽片盒预真空室和真空箱连接而成。左边腔室包汉口 7 个固定角度溅射源和 1.0 x 10-8 极限真空。右边腔室特点，一个完整的烘干罩，4 个内置偏转溅射靶，一 个有栅极离子束源和 10-10 极限真空。
ATC 双腔室-溅射/脉冲激光沉积
右边腔室是一个全功能的 ATC 2200 系统，带 6 个 UHV 溅射靶，内置偏转和可加热至 850°C 基片加热器，带射频偏压电源，Z 轴移动和方位角旋转。左边腔室背部有激光，通过安全管道接入，还有一个 6 角靶材转台 PLD。此腔室还带有一个 850°C 加热器和高压，两个 不同泵控的 RHEED。由一个通用顶点预真空室连接。
单腔组合工艺系统
标准配置
ATC 1800-HY
集成了共聚焦溅射，一个 6 槽线性电子束溅射靶，离子刻蚀和一个可伸缩溅射靶，满足短工作距离直流溅射（如 Nb 超导体）。此超高真空设备还能集成一个±200°偏转样品台， 带基片冷却和方位角旋转。
ATC 2030-HY
ATC Orion 8-E-HY
该设备功能强大，带有一个直线型电子束源，一个3 英寸带内置偏转的超高真空溅射靶，和一个预真空室，可以匹配多种不同类型样品托。
