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AJA 的 ATC 离子束刻蚀系统用途广泛，可根据需求定制化配置。根据用户应用特点，这些定制化系统采用了超高性能的样品台和离子束源。腔室大小从直径 10"-22"不等，还能够配置电脑控制系统，预真空室，自动装载和可带掩模交换系统的 6 卡槽片盒。
这些系统的特点具有独一无二的刻蚀平台设计，在相当广泛的工艺应用中它可以最大容纳直径为8”的样品，从微纳结构描绘到晶圆平整化。这些样品台由AJA独立设计与生产，并且还有许多市场需要的功能特性可供选择，比如冷却、偏转和旋转系统。针对冷却系统，我们可以提供多种方式，包括水冷、液氮、背部氦气或氩气结合冷却，带有同步旋转和偏转功能。
AJA 生产并集成了大量技术先进的有栅极，无栅极和 RF 射频离子束源，能够很容易地配置到相应设备上，包括反应和惰性刻蚀工艺。这些离子束源能够根据您的需求进行安装，可以直接对准基片或成一定入射角工作。
标准离子束刻蚀系统配置
ATC-2020-IM
配置包括一个 14cm，有栅极，射频离子源，用于刻蚀最大直径为 100mm 的基片。系统特点是有一个 700l/s 涡轮分子泵，电脑控制，SIMS 终点检测和样品台，电动偏转，旋转和水冷配置。
ATC-2036-IM
上图示系统配置了一个射频 22cm 有栅极离子源，均匀刻蚀最大直径为 150mm基片。特点是一个 2000l/s 涡轮分子泵，电脑控制，SIMS 终点检测，2 个沉积钝化膜层溅射靶和样品台，带电动偏转，旋转和水冷。SiO2 刻蚀速率 320 Å/min，不均匀性±2%。
ATC-2036-IM with Motorized UNO
电动 UNO 系列样品台安装在一个滑动装置上。AJA UNO 系列样品台特点是基片同步旋转、水冷和偏转，可根据精度需求调节离子束入射角角度。 图示装置带可编程，电动偏转(±90° ) ，并且安装在了一个可伸缩滑轨上，可以轻易装/卸载和维修基片。
ATC-1800-IM-R
采用 14cm 有栅，射频离子源提高均匀性，反应刻蚀最大直径 100mm 的基片，一个 2000l/s 涡轮分子泵，电脑控制，可伸缩法拉第杯，带为镀钝化膜层配置的溅射枪的预真空室和一个样品台，带电动，偏转，加热/冷却(5-200°C)。此工具可通氯气并带一个 4 路 MFC 有害气体箱。
典型速率和不均匀性数据
