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高产能
刻蚀和沉积模块可以组合到一起，采用双盒式载片台，进行最大尺寸为200 mm的晶圆工艺来提高产能。
研发型
ICP刻蚀机、RIE刻蚀机、PECVD和ICPECVD、真空装片装置或盒式载片台可以用3到6端口的传递腔室连接，实现多腔室系统供研发所用。
SENTECH多腔室机台由刻蚀沉积模块、传递腔室、预真空室或盒式载片台组合而成。传递腔室可以设置3到6个端口。双盒式载片台可以提高产能。传递腔可以由多种选件来装配。
SENTECH多腔室研发机台配备有SENTECH专门为其定制的控制软件来实现工业化操作。
6端口集成系统-工业应用
6端口集成系统，包括2个SI500 RIE端口，cassette片盒站以及科研和小批量生产使用的样品室loadlock
2端口集成系统，包括ICP-RIE SI500和低温刻蚀机SI 500 C，带样品室loadlock
单个集成系统，包括等离子刻蚀（SI 500）和沉积系统（SI 500 D)
2端口RIE集成系统，可用于刻蚀铝衬垫
l ICP/RIE 刻蚀机端口
l ICPECVD/PECVD沉积端口
l 真空样品台loadlock
l 真空cassette片盒站
l 高真空泵组
