Depolab 200

性价比高

PECVD 等离子沉积机台Depolab 200延续了带有直接装载装置的平行板等离子源的设计。 

扩展性强

基于模块化的设计，Depolab 200可以用增加更大的泵、低频电源和附加气路等方法升级。 

控制软件 

控制软件包括模拟用户界面，参数窗口，工艺程序编辑器，数据记录和用户管理。 

Depolab 200是具有SENTECH平板电极设计优势的PECVD机台，可实现2至8寸晶圆及小样品的标准工艺，并可通过升级满足复杂工艺要求。 

Depolab 200在结构、可靠性和软硬件灵活性上均有杰出的的设计。在此系统上研发出不同的工艺，例如高质量氧化硅和氮化硅膜工艺。Depolab 200由带气源箱的反应器、控制电路、计算机、初级泵和主接线箱组成。 

Depolab 200等离子沉积机台适用于SiO2, SiNx, SiONx和a-Si薄膜的沉积，最高温度为400°C。Depolab尤其适用于沉积刻蚀掩膜用介质膜、薄膜和介电膜的沉积。 

The Depolab 200可以通过用户友好的SENTECH控制软件界面进行远程操作。