等离子刻蚀 Plasma Etching

ICP-RIE SI 500

纳米结构低损伤刻蚀 

由于等离子的能量分布低，从而能实现低损伤刻蚀和纳米结构刻蚀。 

简单高速率刻蚀 

MEMS制造工艺中，Si材料光滑侧壁的高速高选择比刻蚀，可以很容易的通过室温或低温工艺实现。 

内置ICP等离子源 

平板三螺旋天线（PTSA）等离子源是SENTECH独有的高端等离子工艺系统。PTSA能产生高密度低能量分布的等离子体。

在多种材料刻蚀工艺中都能实现高效率耦合及稳定起辉 。

动态温控 

衬底温度设定和工艺过程中的稳定性是影响刻蚀工艺质量的重要因素。ICP衬底电极结合背面氦气冷却和温度传感器进行动态温控，工艺温度范围为-150 °C 至 +400 °C。 

SENTECH面向高灵活性和高产能的刻蚀和沉积系统提供各种级别的自动化装置，从预真空系统到最大6端口的多工艺腔室装置。SI500可以作为多腔室工艺模块。